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器件编程说明（DOS版） |
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1、单片机编程 编程器可编程目前常用的八位单片机，包括 INTEL、PHILIPS、ATMEL、LG公司生产各型单片机。编程算法严格按各型单片机厂家提供的编程算法。 对单片机固化前，内部程序存储器应处于擦除状态。87系列须用紫外线擦除，89系列可使用“芯片擦除操作”命令进行电擦除。97系列为一次性编程单片机。 单片机加密方法 单片机加密命令应在程序固化完成后使用。 各种单片机的加密等级不同：89C51、89C52、89C55、 89S8252可选择3级。 89C1051、89C2051、97C1051、97C2051可选择2级。8751／H可选择1级。8751BH、8752BH、87C51、87C52、87C51FA、87C51FB、97C51、97C52可选择3级。 各芯片的加密级定义如下。
89C51、89C52、89C55、89C8252加密级约定：
89C1051、89C2051加密级约定：
97C1051、97C2051加密级约定：
875l／H加密级约定：
8751BH、8752BH、87C51、87C52、87C51FA、87C51FB、97C51、97C52加密级约定：
注释：LB表示加密位，TAB表示加密阵列，U表示未被编程，P表示被编程。 对单片机编程的常规步骤： （1）使用编译软件把汇编语言源程序编译成BIN格式文件，或由EPROM等存储器读出存盘产生BIN格式文件。 （2）在编程器监控状态下，把芯片插在插座上并锁紧。 （3）进行芯片型号选择操作。 （4）进行芯片全空检查操作。89系列非空应执行“芯片擦除操作”，87系列非空应使用紫外线擦除。 （5）进行芯片固化操作。固化首地址通常为0。 （6）进行芯片校验操作。 （7）进行单片机加密操作。用户视情况选择不同的加密等级或不加密。 （8）在编程器监控状态下，拨下芯片。 注意事项： （1）不能在三个插座上同时插有两个或两个以上器件。 （2）芯片型号要与选定的编程型号一致。 （3）编程器处于忙状态时不能插拨芯片。 固化失败常见原因： （l）电源电压超差，电源变换器电压要求：2l0V～230V。 （2）芯片没有擦干净。 （3）芯片已损坏。 2、EPROM编程 编程器可编程常用的紫外线擦除只读存储器EPROM：2764～27040。编程算法采用高速智能算法，安全可靠。 在固化前，EPROM应处于擦除状态。可使用“芯片全空检查操作”命令检测芯片是否擦干净。 编程器对EPROM的分类方法是根据存储容量和编程电 压分类的。下面介绍各类EPROM对应的具体芯片型号。 （l）2764 12.5V 2764、 2764A、 27C64。 编程电压Vpp=12.5V。 （2）2764 21V 2764、 2764A、 27C64。 编程电压Vpp=21V。 （3）27128 12.5V 27128、27128A、 27C128。 编程电压Vpp=12.5V。 （4）27128 21V 27128、27128A、27C128。 编程电压Vpp=21V。 （5) 27256 12.5V 27256、27256A、27C256。 编程电压Vpp=12.5V。 （6）27256 21V 27256、27256A、27C256。 编程电压Vpp=21V。 （7）27512 12.5V 27512、27512A、27C512． 编程电压Vpp=12.5V。 （8）27512 21V 27512、27516A、27C512。 编程电压Vpp=21V。 （9）27C010 12.5V 27010、27C010、27C1001。 编程电压Vpp=12.5V。 （10）27C020 12.5V 27O20、27C020、27C2001。 编程电压Vpp=12.5V。 （11）27C040 12.5V 27040、27C040、27C4001。 编程电压Vpp=12.5V。 不知道EPROM芯片编程电压时，编程电压先选为低电压进行试写，低电压写不进去，再选用高电压编程。 对EPROM编程的常规步骤。 （1）使用编译软件把源程序编译成BIN格式文件，或由E PROM等存储器读出存盘产生BIN格式文件。 （2）在编程器监控状态下，把芯片插在插座上并锁紧。 （3）进行芯片型号选择操作。芯片型号参考4．2。 （4）进行芯片全控检查操作。非空应使用紫外线擦除。 （5）进行芯片固化操作。固化首地址通常为0。 （6）进行芯片校验操作。 （7）在编程器监控状态下，拨下芯片。 3、EEPROM编程 编程器可编程目前常用的电擦除存储器EEPROM：2817A～28C256。编程算法严格按器件手册提供的编程算法编程。 EEPROM可按字节进行擦除改写，在固化前，EEPROM不用整片擦除。 编程器对EPROM的分类方法是根据芯片型号分类的。 EEPROM芯片编程电压固定为5V。 对EEPROM编程的常规步骤： （1）使用编译软件把源程序编译成BIN格式文件，EPROM等存储器读出存盘产生BIN格式文件。或其它数据文件。 （2）在编程器监控状态下，把芯片插在插座上并锁紧。 （3）进行芯片型号选择操作。 （4）进行芯片固化操作。固化首地址通常为0。 （5）进行芯片校验操作。 （6）在编程器监控状态下，拨下芯片。 注意事项： （l）不能在三个插座上同时插有两个或两个以上器件。 （2）芯片型号要与选定的编程型号一致。 （3）编程器处于忙状态时不能拨芯片。 固化失败常见原因： （l）电源电压超差。电源变换器电压要求：210～230V。 （2）芯片已损坏。 4、FLASH ROM编程 编程器可编程目前常用的闪烁存储器FLASH ROM： 28F256～28F020．编程算法按器件手册提供的程算法编程。 FLASH ROM可整电擦除，可按字节进行改写。在固化前，芯片应处于擦除状态。 编程器对FLASH ROM分类方法是根据芯片型号分类的。 FLASH ROM芯片编程电压固定为12V。 对FLASH ROM编程的常规步骤： （1）使用编译软件把源程序编译成BIN格式文件，或由EPROM等存储器读出存盘产生BIN格式文件。或其它数据文件。 （2）在编程器监控状态下，把芯片插在插座上并锁紧。 （3）进行芯片型号选择操作。 （4）进行芯片擦除操作。新片不用。 （5）进行芯片全空检查操作。非空应重擦。 （6）进行芯片固化操作。固化首地址通常为0。 （7）进行芯片校验操作。 （8）在编程器监控状态下，拨下芯片。 注意事项： （1）不能在三个插座上同时插有两个或两个以上器件。 （2）芯片型号要与选定的编程型号一致。 （3）编程器处于忙状态时不能拨芯片。 固化失败常见原因： （l）电源电压超差。电源变换器电压要求：210～230V。 （2）芯片没有擦干净。 （3）芯片已损坏。 5、NV RAM编程 编程器可编程常用的不挥发静态存储器NV RAM： NV6264一NV628512。 NV RAM的读写逻辑与SRAM完全兼容，掉电由内部电池保护数据。在固化前，NV RAM不用擦除。 编程器对NV RAM的分类方法是根据芯片的存储容量分类的。 NV RAM芯片编程电压固定为5V。 对NV RAM编程的常规步骤： （1）使用编泽软件把源程序编译成BIN格式文件，或由EPROM等存储器读出存盘产生BIN格式文件。或其它数据文件。 （2）在编程器监控状态下，把芯片插在插座上并锁紧。 （3）进行芯片型号选择操作。 （4）进行芯片固化操作。固化首地址通常为0。 （5）进行芯片校验操作。 （6）在编程器监控状态下，拨下芯片。 注意事项： （1）不能在三个插座上同时插有两个或两个以上器件。 （2）芯片型号要与选定的编程型号一致。 （3）编程器处于忙状态时不能拨芯片。 固化失败常见原因： （1）电源电压超差。电源变换器电压要求：210～230V。 （2）芯片已损坏。 6、测试SRAM 编程器可测试目前常用的静态存储器SRAM：6264～628512。编程器对存储器每个存储单元的每一位进行测试，确保测试的可靠性。 编程器对SRAM的分类方法是根据芯片型号分类的。 测试的SRAM的常规步骤。 （l）在编程器监控状态下，把芯片插在插座上并锁紧。 （2）进行芯片型号选择操作。 （3）进行芯片测试操作。应选“芯片全空检查”命令菜单。 （4）在编程器监控状态下，拨下芯片。 注意事项 （l）不能在三个插座上同时插有两个或两个以上器件。 （2）芯片型号要与选定的编程型号一致。 （3）编程器处于忙状态时不能拨芯片。 |
