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通讯领域使用的FLASH芯片

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全球大约在10部手机中,有4部使用了ST的器件。

ST的先进结构的Flash存储器具有独特的低压技术,是基于标准的和原有的NOR存储阵列结构的方式。新的Flash,单片封装中已包含了Flash和SRAM两种类型的存储器。

主要特性

高密度 - 高达64Mbit,可以为移动电话增加更多、更大的应用程序

低电压 - 可达1.8V。节能和延长电池的寿命

快速的寻址时间 - 具有Burst能力。用于高的带宽要求和快速的计算能力

双区 - 使得读/写两种操作可以同时进行,允许EEPROM模拟

可以用于通讯领域的Flash

 

容量

型号

描述

封装

应用

8Mb

M28W800CT

8Mb(x16),90-100nS,low latency,顶部Boot区

TSOP48,TFBGA45

蜂窝电话,网络产品

 

M28W800CB

8Mb(x16),90-100nS,low latency,底部Boot区

TSOP48,TFBGA45

蜂窝电话,网络产品

 

M59DR008E

8Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,顶部Boot区

TSOP48,TFBGA48

蜂窝电话

 

M59DR008F

8Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,底部Boot区

TSOP48,TFBGA48

蜂窝电话

16Mb

M28W160CT

16Mb(x16),90-100nS,low latency,顶部Boot区

TSOP48,TFBGA46

蜂窝电话,网络产品

 

M28W160CB

16Mb(x16),90-100nS,low latency,底部Boot区

TSOP48,TFBGA46

蜂窝电话,网络产品

32Mb

M28W320CT

32Mb(x16),90-100nS,low latency,顶部Boot区

TSOP48,TFBGA47

蜂窝电话,网络产品

 

M28W320CB

32Mb(x16),90-100nS,low latency,底部Boot区

TSOP48,TFBGA47

蜂窝电话,网络产品

 

M59DR032A

32Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,顶部Boot区

TSOP48,TFBGA48

蜂窝电话

 

M59DR032B

32Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,底部Boot区

TSOP48,TFBGA48

蜂窝电话

 

M59MR032C

32Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,顶部Boot区

µBGA46

蜂窝电话

 

M59MR032D

32Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,底部Boot区

µBGA46

蜂窝电话

“DR”- Dual Bank/Page Mode

“DR”或者Dual Bank/Page Mode产品是用于1.8V操作电压范围的应用。但在12V的编程电压条件下,可以获得更快的编程和擦除速度。

DR器件的主要特性:

x16位的总线

双区结构

页模式,4字,寻址速度可达35nS

在1.8V时的随机寻址时的速度为100nS

双字编程速度为10µS

支持公共Flash接口

64位保密代码存储

8Mbit

32Mbit

型号

M59DR008E,F

M59DR032E,F

Boot区

E=Top,

F=Bottom

E=Top,

F=Bottom

4+4Mb

4+28Mb

总线

x16

x16

“ MR" - 复用(Mutilplexed)

“MR”或Dual Bank/Burst Mode和Multiplexed产品大概是当今全球最先进的Flash存储器了。它结合了Burst Mode和地址/数据复用两种特性,以简化管脚数量和实现引脚的小型化。

MR器件的主要特性:

x16位的总线

双区结构

快速的12V编程和擦除

地址/数据复用

Burst模式,4字,寻址速度可达35nS

在1.8V时的随机寻址时的速度为100nS

Burst模式,同步寻址,可配置burst在54MHz

双字编程速度为10µS

支持公共Flash接口

64位保密代码存储

32Mbit

型号

M59MR032C,D

Boot区

C=Top,

D=Bottom

8+24Mb

总线

x16

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